El fabricante surcoreano de semiconductores SK Hynix inició la construcción de una planta valorada en más de $4,000 millones en Indiana, Estados Unidos, destinada al empaquetado avanzado de memorias de alto ancho de banda (HBM), utilizadas en sistemas de inteligencia artificial (IA).
La instalación estará ubicada en West Lafayette y tiene previsto comenzar operaciones durante el segundo semestre de 2029. La compañía anunció el inicio de las obras después de celebrar una ceremonia en el lugar donde se desarrollará el proyecto.
La empresa mantendrá en Corea del Sur la fabricación de las obleas de silicio y posteriormente las trasladará hacia Indiana, donde serán sometidas a procesos de empaquetado y pruebas antes de que los productos terminados sean entregados a clientes estadounidenses.
Con la inversión, SK Hynix busca ampliar su presencia en Estados Unidos y aumentar su capacidad para atender la creciente demanda de semiconductores vinculados con el desarrollo de tecnologías y sistemas de inteligencia artificial.
El proyecto se concentrará en las memorias HBM, componentes que permiten procesar grandes volúmenes de información a alta velocidad y cuya demanda aumentó con el crecimiento de la infraestructura tecnológica necesaria para desarrollar y operar aplicaciones de IA.
El consejero delegado de SK Hynix, Kwak Noh-jung, advirtió que la escasez mundial de chips de memoria podría extenderse hasta 2030 ante el crecimiento sostenido de la demanda de estos componentes.
La compañía comenzó a cotizar en el índice estadounidense Nasdaq el pasado 10 de julio y recaudó alrededor de $26,500 millones durante la operación, considerada una de las mayores salidas a bolsa de una empresa extranjera en Estados Unidos.
Desde su debut en el Nasdaq, las acciones de SK Hynix acumulan un incremento cercano al 8 %. Los títulos llegaron a superar los $195, posteriormente descendieron hasta la zona de los $125 y este jueves finalizaron la jornada bursátil en $161.
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